電子級硅溶膠制備膜過濾設(shè)備 返回列表頁

硅溶膠（Colloidal Silica）為二氧化硅納米級粒子在水中形成的膠體，具有無臭、無毒、乳白色特征，粒徑10-20nm，高比表面積，分散性與滲透性優(yōu)異，廣泛用于粘合劑、拋光劑等領(lǐng)域。電子級硅溶膠純度 ≥99.999%，其具有高比表面積、低金屬離子、低大顆粒污染三大優(yōu)勢，是半導(dǎo)體、先進封裝、藍寶石、SiC 晶圓化學(xué)機械拋光（CMP）的電子拋光液的核心成分。

納米級硅溶膠的制備方法包括：高純水玻璃離子交換制備、高純硅粉溶解法、溶膠-凝膠法、水玻璃酸中和法、微乳液法等。

硅溶膠按照體系的酸堿度，可分為偏酸性、中性、偏堿性產(chǎn)品。

硅溶膠產(chǎn)品的純化包括，硅溶膠的濃縮、反應(yīng)體系中小分子雜質(zhì)的去除（特別是金屬離子的去除）。

膜過濾法在硅溶膠產(chǎn)品純化中，有廣泛應(yīng)用。

l 硅溶膠的濃縮

電子級硅溶膠除了粒徑大小和均一性要求外，通常要求硅溶膠濃度達到10~40%。

膜過濾濃縮，低溫脫水，金屬離子零新增，具有能耗低、精度高的特點，可通過高精度濾芯實現(xiàn)濃度達到35~40%。采用錯流過濾方式，避免污堵，提高過濾通量和濃縮效率。

博納科技針對不同粒徑硅溶膠膜過濾濃縮工藝，在濃縮倍數(shù)、污堵控制、收率、過濾通量、濃縮液收集、工藝放大等方面，已進行深入研究；在硅溶膠濃縮膜過濾系統(tǒng)的設(shè)計、生產(chǎn)制造、調(diào)試、運行保障，已積累大量工程經(jīng)驗。

l 金屬離子的去除

電子級硅溶膠要求總金屬離子含量≤1 ppm，甚至＜5ppb。特別是體系中的痕量Fe3+、Al3+殘留。采用膜過濾方式，避免了離子交換樹脂法的繁瑣和低效，更降低勞動強度、減少物料損失。最重要的是，經(jīng)濃縮、洗濾，一次性得到金屬離子殘留合格的產(chǎn)品。

針對金屬離子含量達到ppb級別的產(chǎn)品，常規(guī)過濾方法已經(jīng)很難滿足質(zhì)量要求。博納科技已開發(fā)金屬離子溶出更低的的膜元件和膜過濾系統(tǒng)，避免可能存在的金屬離子殘留影響。配合物料預(yù)處理控制、高純水洗濾工藝，滿足高質(zhì)量要求，并且膜系統(tǒng)穩(wěn)定高效運行，實現(xiàn)連續(xù)化自動化生產(chǎn)。

博納科技專注于物料分離領(lǐng)域，致力于膜分離技術(shù)的應(yīng)用工藝開發(fā)，積累了豐富的產(chǎn)品純化經(jīng)驗和工程化放大經(jīng)驗，將工藝、膜元件與設(shè)備相結(jié)合，為客戶提供技術(shù)和解決方案，提供小型實驗機、中試試驗機和生產(chǎn)設(shè)備，從工藝路線到生產(chǎn)設(shè)備，提供整體服務(wù)，與客戶一道共同提升產(chǎn)品質(zhì)量和市場競爭力。