功率器件測試系統igbt測試機

PMST系列功率器件測試系統igbt測試機是武漢普賽斯正向設計，精益打造的高精密電壓/電流測試分析系統，是一致能夠提供IV，CV、跨導等豐富功能的綜合測試系統，具有高精度、寬測量范圍、模塊化設計、輕松升級擴展等優勢，旨在全面滿足從基礎功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態參數表征和測試，并具有著越的測量效率、一致性與可靠性。讓任何工程師使用它都能變成行業專家。更多產品詳情上普賽斯儀表官&網咨詢

產品特點

 高電壓、大電流

 具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達3500V(蕞大可擴展至12kV)

 具有大電流測量/輸出能力,電流高達6000A(多模塊并聯)

 高精度測量

   納安漏電流,μΩ級導通電阻

  0.1%精度測量

  模塊化配置

  可根據實際測試需要靈活配置多種測量單元系統預留升級空間,后期可添加或升級測量單元

  測試效率高

  內置專用開關矩陣,根據測試項目自動切換電路與測量單元

  支持國標全指標的一鍵測試

  擴展性好

  支持常溫及高溫測試可靈活定制各種夾具

硬件特色與性能優勢

大電流輸出響應快，無過沖

采用自主開發的高性能脈沖式大電流源、高壓源，輸出建立過程響應快、無過沖。測試過程中，大電流典型上升時間為15us,脈寬在50-500μs之間可調。采用脈沖大電流的測試方式，可有效降低器件因自身發熱帶來的誤差。

高壓測試支持恒壓限流，恒流限壓模式

采用自主開發的高性能高壓源，輸出建立與斷開響應快、無過沖。在擊穿電壓測試中，可設定電流限制或者電壓限值，防止器件因過壓或過流導致損壞。

測試項目

二極管：反向擊穿電壓V_R、反向漏電流I_R、正向電壓V_F、 正向電流I_F、電容值C_d、I-V曲線、C-V曲線

三極管：V_(BR)CEO、V_(BR)CBO、V_(BR)EBO、I_CBO、V_CE(sat)、VBE(sat)、I_C、I_B、C_eb、 增益hFE，輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線

Si  MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V_(BR)DSS/V_(BR)CES、I_DSS/I_CES、V_CE(sat)、R_DS(on)、V_SD/V_F、V_GS(th)/、V_GE(th)、I_GSS/I_GES柵極內阻R_g、輸入電容C_iss/C_ies、輸出電容、C_oss/C_oes、反向傳輸電容C_rss/C_res、跨導g_fs、輸出特性曲線、 轉移特性曲線、C-V特性曲線

光耦(四端口以下)：I_F、V_F、V_(BR)CEO、V_CE(sat)、I_CEO、I_R、輸入電容C_T、輸出電容C_CE、 電流傳輸比C_TR、隔離電容C_IO