Phenom Pharos G2 是飛納推出的臺式場發射掃描電鏡，可用于半導體表面缺陷觀察，幫助分析器件表面、封裝材料和微小缺陷形貌。
Phenom Pharos G2 采用肖特基熱場發射電子槍，電子光學放大倍數可達 2,000,000 X，分辨率優于 1.5 nm，適合對高分辨形貌、精細結構和微納尺度特征有要求的研發與檢測場景。
該產品具備臺式化設計、低/中/高三種真空模式、背散射探測器、二次電子探測器，并可根據需求選配能譜探測器。具體配置和價格根據樣品類型、成像需求及功能配置確定，可通過平臺詢價/留言入口獲取選型建議，并預約試樣。
產品特點：
1. 肖特基熱場發射電子槍，適合高分辨SEM成像。
2. 電子光學放大倍數可達 2,000,000 X。
3. 分辨率優于 1.5 nm，適合微納結構觀察。
4. 加速電壓 1 kV - 20 kV 連續可調。
5. 支持低/中/高三種真空模式。
6. 標配背散射探測器和二次電子探測器，可選配能譜探測器。
7. 臺式設計，適合科研、研發和檢測實驗室部署。
8. 支持選型咨詢，可預約試樣。
應用領域：
可用于半導體表面缺陷觀察、封裝材料分析、電子材料檢測、失效分析和研發質控。
技術參數：
產品型號：Phenom Pharos G2
產品全稱：Pharos 臺式場發射電鏡
產品類型：臺式場發射掃描電鏡
光學放大：27 - 160 X
電子光學放大：2,000,000 X
分辨率：優于 1.5 nm
電子槍：肖特基熱場發射電子槍
光學導航相機：彩色
加速電壓：1 kV - 20 kV 連續可調
真空模式：低 / 中 / 高三種模式
探測器：背散射探測器、二次電子探測器
可選探測器：能譜探測器
常見問題：
1. 這款設備適合哪些應用？適合納米材料、半導體、碳材料、催化劑、陶瓷、鋰電材料、光伏材料等高分辨形貌觀察場景。
2. 是否可以做元素分析？設備可根據需求選配能譜探測器，用于顆粒、異物或局部區域的元素分析。
3. 價格是多少？價格根據配置、探測器選項和應用需求確定，可通過平臺詢價入口獲取選型建議，并預約試樣。
如需了解 Phenom Pharos G2 在半導體表面缺陷中的配置方案、應用資料或報價信息，可通過平臺詢價/留言入口提交樣品類型與測試需求，獲取選型建議，并預約試樣。
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