產(chǎn)品概述：
麥格納電子設(shè)備公司的主動(dòng)電阻技術(shù)已獲得（美國(guó)編號(hào) 9,429,629），是電子負(fù)載的全新的方式。通過(guò)使用開(kāi)關(guān)式的由電阻和MOSFET網(wǎng)絡(luò)，并結(jié)合麥格納電子設(shè)備公司的新MagnaLINK™分布式DSP架構(gòu)，ARx系列產(chǎn)品的特性和功能與超越傳統(tǒng)的電子負(fù)載，但其價(jià)格卻只是其一部分。除16位精密電壓、電流、電阻、功率和分路調(diào)節(jié)器控制模式外，ARx系列還提供可變電阻控制模式，可直接控制產(chǎn)品的內(nèi)部電阻網(wǎng)絡(luò)。 最后，無(wú)帶寬限制的電子負(fù)載控制模式可實(shí)現(xiàn)真正的階梯負(fù)載響應(yīng)。
產(chǎn)品特點(diǎn)：
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MagnaLINK™分布式DSP架構(gòu)
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16位數(shù)字化編程和顯示器分辨率
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SCPI遠(yuǎn)程編程API
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多種控制模式，包括：電壓、電流、功率、電阻、分路調(diào)節(jié)器和變阻器
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多種運(yùn)行范圍
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集成前置和后置USB全面控制接口，RS485和雙MagnaLINK™接口， 且適用LXI TCP/IP以太網(wǎng)和IEEE-488通用接口總線GPIB。
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數(shù)字化即插即用主從式操作
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可編程保護(hù)限值
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可配置的外部模擬-數(shù)字用戶輸入/輸出
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在美國(guó)設(shè)計(jì)并生產(chǎn)
可變電阻模式：
- 階梯負(fù)載響應(yīng)，可對(duì)麥格納負(fù)載開(kāi)關(guān)電阻矩陣提供直接實(shí)時(shí)控制。共有31 種電阻器狀態(tài)可用。每種電阻器狀態(tài)均有關(guān)聯(lián)功率極限，且低于并不得超 過(guò)麥格納負(fù)載的滿量程額定功率。啟用直流輸入時(shí)，電阻器狀態(tài)間可實(shí)時(shí)切換，達(dá)到其額定功率。只要未超過(guò)任一電阻器狀態(tài)的功率限值，均可實(shí)現(xiàn)滿量度額定輸出電壓或滿量度額定輸出電流。 31種可變電阻的電阻值因型號(hào)而有所不同。對(duì)某一特定型號(hào)的可變電阻狀態(tài)，其電阻值計(jì)算方式如下：（電阻器參考值）x（電阻器乘數(shù)） 。
水冷、主動(dòng)電阻技術(shù)
WRx系列憑借主動(dòng)電阻技術(shù)，提供與傳統(tǒng)電子負(fù)載一致的性 能，價(jià)格卻只占其一小部分，同時(shí) 具有即時(shí)切換被動(dòng)電阻器的能力。
使用麥格納電子設(shè)備公司的主動(dòng)電阻技術(shù)，開(kāi)關(guān)電阻器與MOSFET 管串聯(lián)。高性能的DSP可和諧地同時(shí)控制各耗散單元。假定通過(guò)分流電阻器的功率忽略不計(jì)，耗散于負(fù)載電阻器R1的功率是IL x VR1， 耗散于MOSFET Q1的功率是IL x VQ1。對(duì)于MOSFET，電阻器可在更高的溫度下運(yùn)行，簡(jiǎn)化了無(wú)源元件的冷卻需求。將VQ1調(diào)小、VQ2調(diào)大，系統(tǒng)成本比純半導(dǎo)體電子負(fù)載更低。通過(guò)二元切換矩可調(diào)節(jié)R1電阻器取值。最后，保持將電阻器切換增量調(diào)小、范圍增大，可保證線性模塊的電壓，且運(yùn)行范圍處于最寬狀態(tài)。
電阻負(fù)載的優(yōu)勢(shì)在于其可靠度及耗散功率的每瓦成本，而MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于其速度性能和能在寬廣操作范圍耗散功率的能力。主動(dòng)電阻技術(shù)結(jié)合開(kāi)關(guān)電阻和MOSFET，極大降低了產(chǎn)品成本，增加了新型控制模式，并仍能保持16位高精度性能。
技術(shù)參數(shù)：
采購(gòu)中心
