SE-VE光譜橢偏儀

1) 光譜范圍：400-800nm

2) 入射角：65°

3) 光斑大小：200μm

4) 調制技術：PC_RSA調制技術

5) 重復性測量精度：0.01nm（100nm 硅基SiO2樣件，30次重復測量）

6) 膜厚測量范圍：0.1nm—20μm

7) 單點測量時間：＜5s

8) 光源：高性能進口鹵素燈光源（鹵素燈壽命：2,000h）

9) 可視化樣品顯微對準系統

2、 樣品臺規格：

1) 基板尺寸：支持樣件尺寸到Ф180mm

2) Z軸位移行程：0-10mm

3) 樣件臺俯仰角度：> ±2°

3、 測控與分析軟件

1) 光譜測量能力：PSI/DELTA橢偏光譜、N/C/S光譜、反射率光譜測量

2) 數據分析能力：具備單層、多層膜厚、光學常數（折射率、消光系數）分析能力

3) 支持常用光學常數模型以及常用振子模型（柯西模型、洛倫茲模型、高斯模型等），并支持圖形化多振子混合模型擬合功能

4) 支持多組分薄膜與體材料光學常數、組分比例分析功能； 核心算法包含嚴格耦合波模型、等效介質模型

      5）支持用戶自定義，軟件不限制拷貝數量，支持windows10操作系統