主要特點：
一、此設備的高溫真空電阻爐溫度控制系統采用經典的閉環負反饋控制系統，控溫儀表選用智能型程序溫度調節儀表控溫，電力調制器控制；負載采用小電壓大電流控制，從而大大提高了發熱元件的壽命，測溫元件采用 K 型熱偶。30段可編程控溫，PID參數自整定，操作界面為10寸工控電腦，內置PLC控制程序，可將溫控系統、滑軌爐滑動（時間和距離）設定為程序控制。同時系統設置了超溫、 欠溫、斷偶報警保護功能，大大降低了對操作人員經驗的要求，關鍵電氣元件采用優質的進口產品，做到高性能、免維護，提高了設備質量的可靠性。
二、PECVD是借助于輝光放電等方法產生等離子體，輝光放電等離子體中：電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍，使含有薄膜組成的氣態物質發生化學反應，從而實現薄膜材料生長的一種新的制備技術。通過反應氣態放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應特征，從根本上改變了反應體系的能量供給方式,低溫熱等離子體化學氣相沉積法具有氣相法的所有優點，工藝流程簡單。
三、配有可加熱到400℃的前端預加熱爐，輔助固態源蒸發，后端為雙溫區 ，溫度控制精確，操作簡便，對于氣相沉積，二維材料，等離子處理生長工藝非常合適，也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實驗。
技術參數
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預熱器參數： | 工作溫度：400℃ Z高溫度：1100℃ Z快升溫速率：≤30℃/min 推薦升溫速率：10℃/min 控溫方式：智能化30段可編程控制 工作電壓：AC220V 額定功率：800W 控溫精度：±1℃ 加熱元件：電阻絲 |
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加熱區參數：
| 加熱元件:電阻絲（Fe-Cr-Al Alloy doped by Mo） Z大升降溫速率：≤30℃/min 爐管：高純度石英管Φ25506080100150x2000mm (管徑可選) 標準配件：石英管1支，莫來石管堵2對，不銹鋼法蘭1套，氟膠密封圈2套，高溫手套1副，坩堝鉤1支； 尺寸約：2000×600×1500 mm（長、寬、高） 備注：可選配單溫區、雙溫區、三溫區等加熱區。 |
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氣路系統參數：
| 質量流量計參考量程（N2)：100sccm、200sccm、500sccm （量程可選） 準確度：±1.5% 線性：±0.5～1.5% 重復精度：±0.2% 響應時間：氣特性：1～4 Sec，電特性：10 Sec 工作壓差范圍：0.1～0.5 MPa Z大壓力：3MPa 接口：Φ6,1/4'' 顯示：4位數字顯示 工作環境溫度:5~45高純氣體 內外雙拋不銹鋼管：Φ6 壓力真空表：－0.1～0.15 MPa, 0.01 MPa/格 截止閥：Φ6 連接頭類型：雙卡套不銹鋼接頭。 備注：可選配一路、兩路、三路、四路等以上質量流量計。 |
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低真空系統參數：
| 國產油泵型號：BSV-10 抽速：10m3/h 極限真空度：5*10-1pa 電源：220v 50hz 電機功率：0.4kw 進排氣連接口：KF25 用油量：1.1L 電機轉速：1440rpm 工作環境溫度：5-40℃ 噪音：≤56db 電阻真空計參數： 1.配用規管：ZJ-52T電阻規， 2.測量范圍： 10 5 ～10 -1 Pa， 3.測量路數： 1路 4.控制范圍： 5×10 3 ～5×10 -1 Pa， 5.控制方式：繼電器觸點輸出，負載能力 AC220V/3A (或DC28V/3A)無感負載， 6.電源： 90-260V/50Hz或220V ± 10% 50Hz， 7.功耗： 20W |
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射頻源主要參數：
| 信號頻率：13.56 MHz±0.005% 功率輸出范圍：0-500W Z大反射功率:100W 射頻輸出接口：50 Ω, N-type, female 功率穩定性：≤5W 諧波分量：≤-50dbc 供電電壓：單相交流（187V-253V） 頻率50/60HZ 整機效率：>=70% 功率因素：>=90% 冷卻方式：強制風冷 備注：可根據腔體大小選擇射頻源功率。 |
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